رسانش در گرافین دولایه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده فاطمه نیازی داود
- استاد راهنما زینب رشیدیان
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1393
چکیده
در این رساله، ویژگی های ترابردی اتصالات گرافین دو لایه را از لحاظ نظری بررسی می کنیم، که در آن یک لایه گرافین فرومغناطیس شده بین گرافین های نرمال ساندویچ شده است. رسانش سیستم بر اساس فرمول لاندائو - بوتیکر محاسبه می شود .در این اتصالات، ما می توانیم گاف انرژی و ساختار نواری گرافین دو لایه را با استفاده از ولتاژ بایاس بین لایه ها و میدان تبادلی القا شده بر روی لایه ها کنترل کنیم. همچنین مشخص گردید هنگامی که ولتاژ بین لایه ها با میدان تبادلی تنظیم می شود، با تنظیم اختلاف پتانسیل بین لایه ها، می توان قطبش اسپینی این جریان را کنترل کرد.
منابع مشابه
رسانش اسپینی گرافین گاف دار
در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...
متن کاملبررسی خواص اپتیکی گرافین دولایه
در این پایان نامه به بررسی خواص اپتیکی گرافین دو لایه می پردازیم. درفصل اول با بررسی مفاهیم پایه در مورد گرافین یک لایه،نحوه ی شکل گیری گرافین، ساختار نواری،پراکندگی انرژی، توابع موج،تایت باندینگ در شبکه ی شش گوشه ی گرافین، چگالی حالات ودر نهایت رسانندگی گرافین یک لایه، یک دید کلی نسبت به کارهایی که باید درمورد گرافین دو لایه انجام دهیم پیدا می کنیم وسپس در فصل های بعدی همان مفاهیم فصل اول را ...
15 صفحه اولترابرد الکترونی در نانوساختارهای گرافین دولایه
گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به اند...
15 صفحه اولاثر مجاورت ابررسانایی در یک نانوساختار گرافین دولایه ای
گرافین یک بلور دوبعدی از ات م های کربن است؛ که در آن اتم های کربن یک چیدمان شش ضلعی را تشکیل داده اند. ما در این پایان نامه ساختار شبکه و همیلتونی گرافین دولایه ای را که از روی هم قرار گرفتن دو تک لایه ی گرافین تشکیل می شود مورد مطالعه قرار دادیم و با مطالعه پدیده ی ابررسانایی در گرافین به کمک اثر مجاورت گرافین نرمال با یک ابررسانای ذاتی دو نوع بازتاب اندریف رجعی و آینه ای را مورد بررسی قرار دا...
مقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی
در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...
متن کاملبررسی تأثیر پتانسیل متناوب و ثابت بر روی ترابرد گرافین سه لایه با ساختار برنلABA
گرافین صفحه‌ای از اتم‌های کربن است که به صورت یک تا چندلایه (حدود ده لایه) خواص دوبعدی خود را حفظ می‌کند. در این بین گرافین سه‌لایه به علت پایداری و فراوانی نسبت به دیگر ساختارها، مورد توجه است. چون تعداد و چگونگی قرارگیری لایه‌ها نسبت به هم خواص ترابردی ماده و طیف پاشندگی را تغییر می‌دهد؛ بنابراین در بررسی گرافین سه‌لایه ساختار برنل ABA به تحلیل هامیلتونی و ساختار نواری آن پرداخته‌ایم. بررسی‌ه...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023